據沛沅了解，去膠工藝是微加工工藝過程中一個非常重要的工藝環節。在光刻工藝之后，我們往往需要面臨顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠的去除工作，這些環節中光刻膠去除的是否干凈徹底以及對樣片是否有損傷等將直接影響到后續工藝的進行以及器件的性能。
等離子去膠機的工作原理：
氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。
市面上常見氧等離子去膠機按照頻率可分為微波等離子去膠機和射頻等離子去膠機兩種，微波等離子去膠機的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；
更低的自偏壓決定了其對襯底的刻蝕效應更小，也意味著去膠過程中對襯底無損傷，而射頻等離子去膠機其工作原理與刻蝕機相似，結構上更加簡單。因此，在光電器件的加工中，去膠機的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機。
影響等離子去膠機使用的要素：
（一）、調整合適的頻率：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。通常常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。
（二）、調整合適功率：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據技術需求調理功率。
（三）、 調整適合的真空度：恰當的真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。
（四）、 氧氣流量的調整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復合概率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加， 因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
